据科技日报报导称，日本冲绳科学技能年夜学院年夜学（OIST）官网最新陈诉，该校设计了一种极紫外（EUV）光刻技能，逾越了半导体系体例造业的尺度边界。基在此设计的光刻装备可接纳更小的EUV光源，其功耗还不到传统EUV光刻机的十分之一，从而降低成本并年夜幅提高呆板的靠得住性以及使用寿命。

于传统光学体系中，例如拍照机、千里镜以及传统的紫外线光刻技能，光圈以及透镜等光学元件以轴对于称体式格局摆列于一条直线上。这类要领其实不合用在EUV射线，由于它们的波长极短，年夜大都会被质料接收。是以，EUV光使用新月形镜子指导。但这又会致使光芒偏离中央轴，从而捐躯主要的光学特征并降低体系的总体机能。

为解决这一问题，新光刻技能经由过程将两个具备微小中央孔的轴对于称镜子摆列于一条直线上来实现其光学特征。

因为EUV接收率极高，每一次镜子反射，能量就会削弱40%。根据行业尺度，只要约莫1%的EUV光源能量经由过程10面反射镜终极达到晶圆，这象征着需要很是高的EUV光输出。

比拟之下，将EUV光源到晶圆的反射镜数目限定为统共4面，就能有跨越10%的能量可以穿透到晶圆，显著降低了功耗。

新EUV光刻技能的焦点投影仪能将光掩模图象转移到硅片上，它由两个反射镜构成，就像天文千里镜同样。团队称，这类配置简朴患上使人不可思议，由于传统投影仪至少需要6个反射镜。但这是经由过程从头思索光学像差校订理论而实现的，其机能已经经由过程光学模仿软件验证，可包管满意进步前辈半导体的出产。团队为此设计一种名为 双线场 的新型照明光学要领，该要领使用EUV光从正面照射平面镜光掩模，却不会滋扰光路。

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