作为一种新兴的超宽禁带半导体质料，氧化镓具有年夜禁带宽度（4.8eV）、高临界击穿场强（8MV/cm）以及精良的导通特征，与碳化硅以及氮化镓比拟，氧化镓于年夜功率以及高频次运用中具备上风，且导通电阻更低，损耗更小。

今朝，中国、日本、韩国等国的研究机谈判团队于氧化镓质料的技能研发以及财产化方面都取患了必然的进展。此中，厦门年夜学的研究团队于氧化镓外延生长技能以及日盲光电探测器制备方面取患了主��һ�˶�要进展，哄骗份子束外延技能（MBE）实现了高品质、低缺陷密度的外延薄膜生长，鞭策了氧化镓薄膜高品质异质外延的成长；中国电科46所经由过程革新热场布局以及晶体生长工艺，乐成制备出海内首片高品质氧化镓单晶。

韩国方面，7月22日，韩国化合物半导体公司Siegtronics公布，其已经开发出可运用在高速开关的氧化镓肖特基势垒二极管（SBD）。Siegtronics暗示，其经由过程 开发具备低缺陷特征的高级氧化镓外延质料以及击穿电压为1kV或者更高的功率器件技能 工程，乐成研制出了韩国首个1200V级氧化镓SBD。

日本方面，近日，由日本东北年夜学孵化的创业公司C A的社长镰田圭以及东北年夜学质料研究所吉川彰传授带领的团队开发出了不使用贵金属坩埚的新型晶体生长要领 冷坩埚氧化物晶体生长法（Oxide Crystal growth from Cold Crucible method，OCCC），乐成地培育出了最年夜直径约5cm的氧化镓晶体。

source：nature

该工程的研究职员暗示，传统的晶体生长要领使用贵金属铱作为盛放坩埚，长晶成本高且打造历程中会孕育发生氧缺陷。而于这次开发中，团队以skull melting method为根蒂根基，经由过程开发C A公司的独创装备，乐成地于不使用贵金属坩埚的环境下出产出了高品质的氧化镓晶体。而且因为这类要领不触及铱的氧化，是以于生长历程中对于气体没有限定，熔体可以于生长氛围中连结肆意氧浓度，这无望显著节制生长历程中晶体的氧缺陷。

氧化镓晶体因其优秀的电学以及光学特征，于电力电子器件、高功率激光器以及紫外探测器等范畴具备广泛的运用远景。跟着列国于氧化镓范畴连续取患上新进展，氧化镓质料无望加快实现贸易运用。

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