8月8日，功率半导体年夜厂英飞凌公布，已经正式启动位在马来西亚新晶圆厂的第一阶段，该晶圆厂将成为全世界最年夜、最具竞争力的200毫米（8英寸）碳化硅(SiC)功率半导体晶圆厂，估计2025年最先量产。

该晶圆厂的第一阶段投资额为20亿欧元，以碳化硅为主力，还将包孕氮化镓(GaN)外延；第二阶段投资额高达50亿欧元，将制造全世界最年夜、最高效的200毫米SiC功率晶圆厂。

英飞凌指出，马来西亚居林高科技园区第三厂区一期从开工到落成仅花13个月的时间，已经经是超进步度的体现。今朝早期碳化硅出产仍以成熟的6英寸晶圆为主，2027周全转向8英寸晶圆。

据悉，英飞凌已经得到总价值约50亿欧元的设计定单，并已经从现有以及新客户那里收到约10亿欧元的预支款，用在连续扩建居林3号工场。这些设计定单包孕汽车行业的六家OEM和可再生能源以及工业范畴的客户，触及上汽、福特、奇瑞等。

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