人工智能（AI）市场连续火热，新兴运用对于存储芯片DRAM以及NAND需求飙升的同时，也提出了新的要求。
近日恰逢全世界存储集会FMS 2024（the Future of Memory and Storage）进行，诸多存储范畴议题与前沿技能悉数表态。此中TrendForce集邦征询四位资深阐发师针对于HBM、NAND、办事器等议题睁开了深度会商，廓清存储行业将来成长标的目的。
此外，年夜会现场，NVM Express构造于会中发布了 NVMe 2.1 规范，进一步同一存储架构、简化开发流程。别的包孕Kioxia、美光、SK海力士及子公司Solidigm、西部数据、慧荣科技、群联电子、Microchip微芯多款年夜容量、高机能NAND新品发布惹起业界存眷。此外近期韩国半导体丈量装备厂商Oros Technology和Lam Research泛林集团推出了用在NAND叠层技能进级的装备，给存储行业从上游装备端提供助力。
行业聚焦：NVMe 2.1规范发布于FMS 2024存储峰会上，NVM Express正式发布了NVMe 2.1规范，包孕3个新规范，并更新修订了现有的8个规范，该机构但愿新规范能更好地同一AI、云、客户端以及企业范畴的存储。这次更新的NVMe技能以以前的NVMe规范为根蒂根基，为现代计较情况引入了主要的新功效，同时还简化了开发流程，缩短了上市时间。
本次发布的三个新规格别离是：NVMe Boot规范、子体系当地内存号令集以及计较步伐号令集。
更新修订的八个规范以下：NVMe 2.1根蒂根基规范、号令集规范（NVM号令集、ZNS号令集、键值号令集）、传输规范（PCIe传输、FC传输、RDMA传输以及TCP传输）和NVMe治理接口规范。
本次更新重要带来的NVMe新功效以下： 撑持于NVM子体系之间及时迁徙PCIe NVMe节制器。 为固态硬盘提供新的主机定向数据放置功效，可简化生态体系集成，并向后兼容之前的NVMe规范。 撑持将部门主机处置惩罚offloading到NVMe存储装备。 用在NVMe over Fabrics(NVMe-oF)的收集启念头制。 撑持NVMe over Fabrics分区。 提供主机治理加密密钥的功效，并经由过程 每一I/O密钥 （Key Per I/O）实现高度细粒度加密。 保险加强功效，如撑持TLS 1.三、DH-HMAC-CHAP的集中式身份验证验证明体以及隐藏处置惩罚后的介质验证。 治理加强功效，包孕撑持高可用性带外治理、经由过程I3C举行治理、带外治理异步事务和从底层NVM子体系物理资源动态创立导出NVM子体系。
闪存新技能层见叠出Kioxia展出最新光学接口SSD
于FMS 2024峰会上，Kioxia展示了一款接纳光接口的固态硬盘SSD，经由过程集成光学接口，新的SSD技能于数据中央设计中提供了更年夜的物理矫捷性以及可扩大性，有助在提高能源效率以及旌旗灯号完备性。
据悉，Kioxia新款SSD答应计较以及存储装备之间实实际质性的物理分散。这类设计矫捷性降低了传统布线的繁杂性以及体积，并撑持针对于特定事情负载量身定制的加强体系设计。经由过程分化SSD以及CPU等组件，数据中央可以按照需求更有用地分配资源。这类优化提高了各类运用步伐（包孕HPC情况、超等计较机以及基在云的HPC体系）的机能。
按照其演示ppt资料显示，撑持该芯片撑持短间隔（约40米）的光学毗连，将来规划扩大到100米的间隔。是以，该SSD可以被放置于阔别CPU以及GPU的情况中，从而防止了这些热源孕育发生的高温，确保SSD于最好温度下运转。该项技能还可以经由过程光旌旗灯号举行切换，象征着可以经由过程光互换机来聚合带宽、同享装备，并延伸SSD与主机办事器之间的间隔。
据悉，Kioxia光学接口SSD的开发是多家行业带领者配合起劲的成果，包孕富士通、NEC Corporation、AIO Core、富士通光学元件以及京瓷公司。今朝Kioxia还正于开发用在PCIe Gen8或者更高版本的光学互连SSD。
于更早的8月1日，Kioxia公布，其位在日本岩手县北上市工场Fab 2（K2）已经在7月落成。据悉，K2是日本岩手县北上市的第二家NAND闪存打造工场，规划在2025年秋季于K2最先运营。
据韩媒报导，韩国半导体丈量装备厂商Oros Technology已经在7月最先向铠侠北上工场供给叠层丈量装备OL-1000n。这是该司发布的第六代堆叠丈量装备，与第五代装备比拟，机能晋升10-15%，重要用在NAND层丈量。
美光发布最新款PCIe 6.0 SSD以及第九代NAND闪存技能的SSD固态硬盘
美光近日公布乐成开发业界首款用在生态撑持的PCIe 6.0数据中央固态硬盘，并于FMS 2024峰会上展示了该新品。
据悉，美光科技这次发布的PCIe 6.0 SSD属在其9550 NVMe SSD系列。颗粒以及主控未知，挨次读取速度达26GB/s，比7月23日发布的拥有14GB/s挨次读取速度的9550系列PCIe 5.0数据中央固态硬盘晋升了85.7%。是市场遍及产物读取速率的两倍。
别的7月31日，美光公布，其接纳第九代NAND闪存技能的SSD固态硬盘产物已经最先出货。机能上，美光G9 NAND技能具有高达3.6 GB/s的数据传输速度，提供卓着的数据读写带宽。该项NAND新技能合用在小我私家装备、边沿办事器、企业以及云数据中央。与前一代NAND产物不异，美光第九代NAND接纳11.5妹妹x13.5妹妹的紧凑封装，比同类产物节约28%的空间。
SK海力士或者来岁量产400层NAND Flash
SK海力士于本年的FMS 2024中展示了包孕估计将于第三季器量产的12层HBM3E和规划从来岁上半年最先出货的321层NAND下一代AI存储产物的样品。于2023年进行的FMS上，SK海力士暗示，321层产物的出产率比其238层前代产物超出跨越59%，规划在2025上半年实现量产。
据韩媒etnews报导，业内子士吐露，SK海力士正于着手研发400层NAND Flash，正于与中小型互助伙伴配合开发相干工艺技能以及装备，规划2025年底实现量产，2026年上半年实现年夜范围投产。报导中还提到，SK海力士新的400+层重叠NAND闪存将接纳差别在现有 4D NAND 的总体布局。
2D NAND到4D NAND的成长观点图来历：SK海力士
公然资料显示，SK海力士今朝的4D NAND接纳了PUC��һ�˶�（PeriUnder Cell，单位下外围）技能，将外围节制电路放置于存储单位的下方，较更传统的外围电路侧置设计可削减芯片占用空间。而SK海力士将来的NAND将于两块晶圆上别离打造外围电路以及存储单位，今后接纳W2W（晶圆对于晶圆）情势的混淆键合技能，将这两部门整合为完备的闪存。
对于在此动静，SK海力士暗示，公司对于技能研发或者量产期间的详细规划没法评论。
Solidigm推出PCIe 5.0数据中央固态硬盘D7-PS1010/1030
8月6日，Solidigm公布推出新一代D7级别数据中央固态硬盘D7-PS10十、D7-PS1030。这两个固态硬盘系列均撑持PCIe 5.0，基在SK海力士176层3D TLC NAND闪存。
据悉，D7-PS1010属在尺度经久（1DWPD）级另外型号，提供1.92TB、3.84TB、7.68TB、15.36TB四个容量版本。而D7-PS1030为3DWPD级另外中经久性（Mid-endurance）型号，提供1.6TB、3.2TB、6.4TB以及12.8TB四个容量版本。此中最年夜容量的12.8TB累计写入量可达约70TB。
机能方面，D7-PS1010/1030全系挨次读取可达14500 MB/s，6.4TB及以上容量挨次写入可达9300MB/s，最年夜的3100K IOPS随机读掏出此刻3.84TB版D7-PS1010以及3.2TB版D7-PS1030上。D7-PS10X0的随机写入威力同产物线紧密亲密相干：6.4TB、12.8TB的D7-PS1030可实现800K IOPS的随机写入；D7-PS1010 7.68TB的随机写入则能到达400K IOPS。
PCIe 6.0作为较新的总线接口尺度，其传输速率比拟前一代有了显著的晋升。但很遗憾的是，这款基在消费级PCIe Gen 6固态硬盘还需要一些时间才可以口试。近期，卖力制订PCI Express规范的构造PCI-SIG于2024年开发者年夜会上提供了PCIe 6.0最新进展，暗示PCIe 6.0的开端一致性测试原定在本年3月最先，但被推延到第二季度。今朝，并无消费平台课撑持PCIe Gen 6，如英特尔以及AMD的最新主板只能使用PCIe Gen 5固态硬盘。
别的，行业动静显示，SK海力士正思量鞭策NAND闪存与固态硬盘子公司Solidigm于美IPO。据悉，SK海力士在2020年10月公布收购英特尔NAND与SSD营业，而Solidigm则是SK海力士在2021年末完成收购第一阶段后建立的自力美国子公司。对于此SK海力士回应称： Solidigm正于研究各类成长计划，但今朝还没有做出决议。
西部数据公布完成128TB超年夜容量的SSD
西部数据Western Digital于FMS 2024存储峰会上公布完成128TB超年夜容量的SSD，切当地说是eSSD，面向企业级的AI数据存储运用。估计会于2025年之后发布，西数吐露了估计2027年可以做到256TB，多年后的将来将告竣1PB。今朝官方还未披露型号、机能等相干细节。
别的，西部数据于现场演示了基在西数以及东芝结合研发的第八代BiCS8NAND闪存和合用在人工智能电脑、游戏装备、条记本电脑和其他挪动客户端电脑的支流PCIe Gen5 NVMeTM SSD产物。
针对于汽车范畴，西部数据全新推出了车规级存储解决方案AT EN610，专为满意下一代高机能中心计较(High-PerformanceCentralizedComputing,HPCC)架构的严苛需求而设计。AT EN610接纳了年夜容量TLC闪存，并为用户提供了将全数或者部门存储空间配置为高经久性的SLC模式的矫捷选择。AT EN610使用M.2 1620 BGA封装，并拥有高达1TB的存储容量。西部数据AT EN610产物现已经最先提供样品。
西部数据AT EN610 NVMeTM SSD
Microchip微芯推出PCIe Gen5 SSD节制器
8月5日，Microchip微芯推出了Flashtec NVMe 5016 SSD数据中央级固态硬盘主控，该主控撑持PCIe 5.0，可配置为单x4端口或者双x2端口模式。
图片来历：Microchip
Flashtec NVMe 5016配备16条自力闪存通道，兼容从SLC到QLC的各类NAND闪存，撑持至高3200MT/s闪存接口速度，外置缓存方面则撑持到4 Ranks的DDR5-5200。该主控可实现14GB/s的挨次读取速度，随机读取也高达3500K IOPS，同时仅需1W功率便可撑持跨越2.5GB/s的传输速度，能以更低能耗提供更高带宽。
别的，该款新主控还切合NVMe 2.0+和谈，撑持ZNS（分区定名空间）、FDP（矫捷数据放置）等进步前辈特征，能进一步削减写入放年夜系数WAF。
慧荣科技推出PCIe Gen5 SSD主控
8月7日，慧荣科技（SIMO）公布推出业界首款使用台积电6纳米EUV工艺的PCIe Gen 5 SSD节制器SM2508，并于FMS 2024年夜会上展出。该主控芯片专为AI PC以及游戏主机设计，提供比12纳米工艺竞争敌手产物高达50%的能效降低。
图片来历：慧荣科技
官方资料显示，SM2508 SSD节制器撑持八条NAND通道，每一通道速度高达3600MT/s，提供高达14.5 GB/s的挨次读写速率以及2.5M IOPS的随机机能。据悉相较在PCIe Gen 4产物，其机能晋升达2倍，同时功耗节制于7W之内，估计将在本年第四序度最先量产。
群联推出E29T消费级主控以及Pascari企业级固态硬盘产物线
群联于FMS 2024峰会上首度展示了全新消费级PCIe 4.0主控PS5029-E29T，和其Pascari企业级固态硬盘产物线，该产物线笼罩聚焦高机能的X系列、面向数据中央的D系列、针对于体系开机驱动的B系列、面向传统办事器存储进级的S系列和AI系列。
群联暗示PS5029-E29T是一款针对于最新NAND闪存技能优化的PCIe 4.0 4 SSD主控，E29T接纳DRAM-less设计，基在台积电12nm工艺，搭载ARM Cortex R5 CPU焦点，拥有4条闪存通道，撑持16CE，兼容3600MT/s闪存接口速度，最年夜容量可达8TB。机能方面，基在E29T主控的固态硬盘挨次读写别离可达7400MB/s以及6800MB/s，随机读写机能也都可到达1200K IOPS。
群联PS5029-E29T
Pascari企业级固态硬盘产物线中的X系列中的X200家族较早面世，于此峰会中，群联还推出了X100P、X100E两款PCIe 4.0产物，别离为1DWPD以及3DWPD，最年夜容量均达32TB量级。X100P与X100E挨次读写都可达7400/6900 MB/s，随机读取都可达1750K IOPS；X100P的随机写入速度可达190K IOPS，X100E的更高，可达470K IOPS。
D系列固态硬盘包罗可选U.二、M.二、E1.S形状规格的PCIe 4.0接口1DWPD型号D100P以及PCIe 5.0的D200家族。D200家族于D200V外的两款产物D200P以及D200E均接纳E1.S形状规格，容量至高4TB，标称机能低在X200家族产物。
B系列主打靠得住性以及I/O不变性。两款产物BA50P以及B100P别离接纳SATA III以及PCIe 4.0 4接口，容量最年夜仅为960GB，耐用性方面则均为1DWPD。
S系列群联推出了三款SA50家族SATA接口固态硬盘，均仅提供2.5英寸盘体版本。SA50V的最年夜容量年夜在SA50P，SA50P最年夜容量又年夜在SA50E；不外经久程度就是反过来的SA50E＞SA50P＞SA50A，此中SA50A的写入经久仅有0.4DWPD。
群联AI100E
AI系列仅提供了AI100E这一款产物。该产物的特点于在100DWPD的超高写入经久。该固态硬盘接纳PCIe 4.0 4接口，可选M.2 2280以及U.2 15妹妹两种形状规格，容量方面可选1TB、2TB；群联AI100E挨次读写可达7200/6500 MB/s，随机读写都可达1000K IOPS。
Lam Research推出低温蚀刻新技能，为1000层3D NAND摊平门路
除了了上述存储厂商外，国际知名装备年夜厂Lam Research近期推出Lam CryoTM 3.0，这是Lam Research颠末出产验证的第三代低温电介质蚀刻技能，为其客户迈向1,000层3D NAND摊平门路。跟着天生人工智能的普及继承鞭策对于具备更高容量以及机能的存储需求，Lam Cryo 3.0提供了打造将来尖端3D NAND的要害蚀刻威力。哄骗超低温度、高功率受限等离子反映器技能以及外貌化学立异，Lam Cryo 3.0以业界领先的精度以及轮廓节制举行蚀刻。
据Lam Research先容，今朝已经经有500万片晶圆使用Lam低温蚀刻技能打造，是3D NAND出产范畴的一次冲破。新技能可以或许以埃级精度创立高纵横比(HAR)特性，同时降低对于情况的影响，蚀刻速度是传统介电工艺的两倍以上。Lam Cryo 3.0已经面向领先的存储打造商推出。
到今朝为止，3D NAND重要经由过程重叠垂直存储单位层来取患上进展，这可以经由过程蚀刻深而窄的HAR存储通道来实现。这些特性与方针轮廓的稍微原子级误差会对于芯片的电气机能孕育发生负面影响，并可能影响产量。Lam Cryo 3.0颠末优化，可解决这些缺陷以及其他蚀刻应战。
封面图片来历：拍信网
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