为配合鞭策喷鼻港微电子财产成长，喷鼻港科技园公司与麻省光子技能(喷鼻港)有限公司在7月30日进行了喷鼻港首条超高真空 第三代半导体氮化镓外延片中试线 启动礼。

这次麻省光子技能将入驻新建的微电子中央（MEC），设置装备摆设喷鼻港首条8英寸氮化镓外延片中试线。

据中国资讯网等多家媒体报导，麻省光子技能规划于港投资至少2亿港元，在喷鼻港科学园设立全港首个第三代半导体氮化镓（GaN）外延工艺全世界研发中央，开发8寸进步前辈GaN外延片工艺及装备平台，用在建造氮化镓光电子以及功率器件。

此外，麻省光子技能还将于立异园设立全港首��һ�˶�条超高真空量产型GaN外延片中试线，举行小批量出产；估计完成中试并启动喷鼻港的GaN外延量产产线设置装备摆设，动员创举跨越250个微电子相干的就业职位，包孕外延片及装备设计、出产流程成长等，创举本色经济价值。

氮化镓(GaN)是第三代半导体的重要代表质料之一，具备宽禁带、高频次、低损耗、抗辐射强和卓着的击穿电场等特征，可于高暖和高电压下举行永劫间运作，被广泛运用在LED、激光器、太阳能电池、无线通信、快充、工业以及汽车等范畴。

当前，全世界半导体财产成长迅速，动员氮化镓市场范围同步晋升。据市场研究机构TrendForce集邦征询此前猜测，全世界GaN功率元件市场范围将从2022年的1.8亿$发展到2026年的13.3亿$，复合增加率高达65%。

最近几年来，喷鼻港将第三代半导体作为重点成长的科技范畴。2024年5月，喷鼻港立法会财政委员会核准一项庞大投资，即28.3亿港元，用在成立 喷鼻港微电子研发中央 ，专一在第三代半导体。这项规划包孕成立一条实验出产线，配备I线光刻装备、光刻胶显影东西、高温离子注入机、高温退火炉以及薄膜东西等须要东西。

据喷鼻港特区当局立异科技及工业局局长孙东先容，特区当局正踊跃推进微电子财产成长。喷鼻港微电子研发院将在年内建立，并设立碳化硅以及氮化镓两条中试线，协助草创、中小企业举行试产、测试以及认证，促成产、学、研于第三代半导体焦点技能上的互助。

封面图片来历：拍信网

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